电工文库|N沟道增强型MOSFET

   更新日期:2017-03-28     来源:建材之家    作者:水电之家    浏览:41    评论:0    
核心提示:1、结构和符号 栅极与其他两个电极是相互绝缘的 间断线表示栅源电压vGS=0时, FET内部不存在导电沟道 箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道) 2、工作原理 (1)栅源电压VGS的控制作用 1)当VGS=0时:漏源间没有导电的沟道,iD=0 S、D之间相当于两个背靠背的二极管,故不管VDS极性如何,总有一个二极管是反偏的,无电流流

对焊机操作时候要注意的问题—苏州安嘉

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水电之家讯:1、结构和符号

栅极与其他两个电极是相互绝缘的










间断线表示栅源电压vGS=0时,

FET内部不存在导电沟道

箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)

2、工作原理

(1)栅源电压VGS的控制作用

1)当VGS=0时:漏源间没有导电的沟道,iD=0

S、D之间相当于两个背靠背的二极管,故不管VDS极性如何,总有一个二极管是反偏的,无电流流过。








2)当vGS >0时,产生电场,排斥空穴,吸引电子,电子与空穴相复合形成耗尽层。

3)当vGS 增大到某一个值(开启电压VT)时, 电场吸引更多电子到衬底表面,形成N型导电薄层,称为反型层。即vGS=VT时,导电沟道开始形成。






4)vGS > VT 后:vGS ↑→沟道厚度 ↑→沟道电阻↓→ID↑, 实现了电压控制电流。

这种在VGS=0时没有导电沟道,只有当VGS>VT后才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。

(2) vDS对 iD的影响



vGS>VT 且为一常数

电位 S ← D S ← D

低←高 宽 ←窄

VDS = VGS- VT

有导电沟道的条件

vGD= vGS-vDS > VT

vDS< vGS- VT

vDS↑rDS↑(慢)→iD↑

VDS继续增加,满足

VGD= VGS-VDS =VT时,漏端导

电沟道开始夹断,称为预夹断。

VDS = VGS- VT .预夹断后,iD几乎不变

3、特性曲线

(1)输出特性

VGS < VT全夹断状态

( 2 ) 转移特性


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