电工文库|半导体三极管的参数

水电之家讯：半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。

1.共发射极直流电流放大系数

＝（IC－ICEO）/IB ≈ IC / IB|vCE＝const

在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE＝const)来求取IC/IB ，如图1所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图2。

图1 在输出特性曲线上决定图2 值与IC的关系

2.集电极－基极间反向饱和电流ICBO

ICBO的下标CB代表集电极和基极，O 是Open的字头，代表第三个电极 E 开路。它相当于集电结的反向饱和电流。

2.集电极－发射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO和ICBO有如下关系

ICEO＝（1＋）ICBO

相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。 图3 ICEO在输出特性曲线上的位置

3.共发射极交流电流放大系数β

b ＝DIC/DIB½

在放大区，b 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于 X 轴的直线求取DIC/DIB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b 。具体方法如图4所示。 图4 在输出特性曲线上求取β 4、 集电极最大允许电流ICM

如图2所示，当集电极电流增加时，b 就要下降，当b 值下降到线性放大区b 值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于b 值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。

5、 集电极最大允许功率损耗PCM

集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM＝ ICVCB≈ ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。

6、 反向击穿电压

反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图5所示。 图5 三极管击穿电压的测试电路 1. V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR 代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O 代表第三个电极 E 开路。

2. V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。

3. V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。

对于V(BR)CER表示 BE 间接有电阻，V(BR)CES表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：

V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO

由最大集电极功率损耗 PCM、ICM 和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。 图6 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区水电之家为您提供最全面的管材,管件,水电,电线,电工,管材水电品牌的装修知识点和各种管材水电的导购与在线购买服务,拥有最便宜的管材水电价格和最优质的售后服务,每天都有秒杀的抢购活动哦！敬请登陆水电之家：http://shuidian.jc68.com/