水电之家讯：由于绝缘栅型场效应管分增强型和耗尽型两种，我们仅以N沟道为例介绍绝缘栅型场效应管的特性曲线。
（1）转移特性曲线
增强型NMOS管的转移特性曲线如图（a）所示，<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www.w3.org/1998/Math/MathML" />
U GS =0 时，
I D =0 ；只有当
U GS > U T 时才能使
I D >0 ，
U T 称为开启电压。耗尽型NMOS管的转移特性曲线如图（b）所示，在
U GS =0 时，就有
I D ；若使
I D 减小，
U GS 应为负值，当
U GS = U P 时，沟道被关断，
I D =0 ，
U P 称为夹断电压。
对于增强型MOS在
U GS ≥ U T 时（对应于输出特性曲线中的恒流区），
I D 和
U GS 的关系为
I D = I D0 ( U GS U T −1 ) 2 ，其中
I D0 是
U GS =2 U T 时的
I D 值。
耗尽型MOS管的转移特性与结型管的转移特性相似，所以在
U P ≤
U GS ≤0的范围内（对应于输出特性曲线中恒流区），
I D 和
U GS 的关系为
I D = I DSS ( 1− U GS U P ) 2 。所不同是当
U GS ＞0时，结型场效应管的PN结将处于正向偏置状态而产生较大的栅极电流，这是不允许的；耗尽型MOS管由于
Si O 2 绝缘层的阻隔，不会产生PN结正向电流，而只能在沟道内感应出更多的负电荷，使
I D 更大。
（2）输出特性曲线
绝缘栅型场效应管的输出特性曲线和结型场效应管类似，同样也分成三个区：可调电阻区、恒流区（饱和区）、击穿区，含义与结型场效应管相同，跨导
g m = Δ I D Δ U GS 的定义及其含义也完全相同。
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