水电之家讯：NMOS逻辑门电路是全部由N沟道MOSFET构成。由于各种器件具有较小的几何尺寸，适合于制造大规模集成电路。此外，由于NMOS集成电路的结构简单，易于使用CAD技术进行设计。与CMOS电路相似，NMOS电路中不使用难于制造的电阻。NMOS反相器是整个NMOS逻辑门电路的基本构件，它的工作管常用增强型器件，而负载管可以是增强型也可以是耗尽型。现以增强型器件作为负载管的NMOS反相器为例来说明它的工作原理。
(a)实际电路(b)简化画法1 NMOS反相器 图1(a)表示NMOS反相器的原理电路，其中T1为工作管，T2为负载管，二者均属增强型器件。若T1和T2在同一工艺过程中制成，它们必将具有相同的开启电压VT。图1(b)是它的简化画法。由图1可见，负载管T2的栅极与漏极同接电源VDD，因而T2总是工作在它的恒流区，处于导通状态。
当输入vI为高电压(超过管子的开启电压VT)时，T1导通，输出vO为低电压。输出低电压的值由T1、T2两管导通时所呈现的电阻值之比决定。通常T1的跨导gm1远大于T2管的跨导gm2，以保证输出低电压值在+1V左右。当输入电压vI为低电压(低于管子的开启电压VT)时，T1截止，输出vO为高电压。由于T2管总是处于导通状态，因此输出高电压值约为(VDD-VT)。通常gm1在100～200μS之间，而gm2约为5～15μS。T1导通时的等效电阻Rds1约为3～10kΩ，而T2的Rds2约在100～200kΩ之间。负载管导通电阻是随工作电流而变化的非线性电阻。
在NMOS反相器的基础上，可以制成NMOS门电路。图2为NMOS或非门电路。
图2 MNOS或非门电路只要输入A、B中任一个为高电平，与它对应的MOSFET导通时，输出为低电平；仅当A、B全为低电平，所有工作管都截止时，输出才为高电平。可见电路具有或非功能,即
L=A+B或非门的工作管都是并联的，增加管子的个数，输出低电平基本稳定，在整体电路设计中较为方便，因而NMOS门电路是以或非门为基础的。这种门电路主要用于大规模集成电路。
以上讨论和分析了各种逻辑门电路的结构、工作原理和性能，以便于比较，现用它们的主要技术参数传输延迟时间tpd和功耗PD综合描述各种逻辑门电路的性能，如图3所示。 图3 各种门电路的延迟时间与功耗的关系图水电之家为您提供最全面的管材,管件,水电,电线,电工,管材水电品牌的装修知识点和各种管材水电的导购与在线购买服务,拥有最便宜的管材水电价格和最优质的售后服务,每天都有秒杀的抢购活动哦！敬请登陆水电之家：http://shuidian.jc68.com/
