电工文库|功率场效应晶体管的主要参数

   更新日期:2017-04-02     来源:建材之家    作者:水电之家    浏览:22    评论:0    
核心提示:(1) 漏源击穿电压UDS:决定了功率MOSFET的最高工作电压。 (2) 栅源击穿电压UGS :表征功率MOSFET栅源之间能承受的最高电压。该参数很重要:因为人体常常带有高压静电,所以在接触MOS型器件,包括电力MOSFET、普通MOSFET、MOS型集成电路时,可以先用手接触一下接地的导体,将身体的静电放掉,否则容易将GS间的绝缘层击穿。另外,在用烙铁焊MOS型器件时,应将烙铁加

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水电之家讯:(1) 漏源击穿电压UDS:决定了功率MOSFET的最高工作电压。

(2) 栅源击穿电压UGS :表征功率MOSFET栅源之间能承受的最高电压。该参数很重要:因为人体常常带有高压静电,所以在接触MOS型器件,包括电力MOSFET、普通MOSFET、MOS型集成电路时,可以先用手接触一下接地的导体,将身体的静电放掉,否则容易将GS间的绝缘层击穿。另外,在用烙铁焊MOS型器件时,应将烙铁加热后,拔下电源插座,再焊器件。

(3) 漏极最大电流ID:表征功率MOSFET的电流容量。一般厂家给定的漏极直流(额定)电流ID 是外壳温度为25度时的值,所以要考虑裕量,一般为3-5倍。

(4) 开启电压UT:又称阈值电压,指功率MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。

(5) 通态电阻Ron:通态电阻Ron是指在确定栅源电压UGS下,功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻,是影响最大输出功率的重要参数。

(6) 极间电容:功率MOSFET的极间电容是影响其开关速度的主要因素。其极间电容分为两类;一类为CGS和CGD,它们由MOS结构的绝缘层形成的,其电容量的大小由栅极的几何形状和绝缘层的厚度决定;另一类是CDS,它由PN结构成,其数值大小由沟道面积和有关结的反偏程度决定。

一般生产厂家提供的是漏源短路时的输入电容Ci、共源极输出电容Cout及反馈电容Cf,它们与各极间电容关系表达式为

Ci=CGS+CGD Cout=CDS+CGD Cf=CGD

显然,Ci﹑Cout和Cf均与漏源电容CGD有关。水电之家为您提供最全面的管材,管件,水电,电线,电工,管材水电品牌的装修知识点和各种管材水电的导购与在线购买服务,拥有最便宜的管材水电价格和最优质的售后服务,每天都有秒杀的抢购活动哦!敬请登陆水电之家:http://shuidian.jc68.com/
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