电工知识|PIC单片机开发过程中软、硬件设计一些经验、技巧

   更新日期:2017-03-25     来源:建材之家    作者:水电之家    浏览:17    评论:0    
核心提示:本文总结了作者PIC单片机开发过程中一些经验、技巧,供同行参考。 1 怎样进一步降低功耗 功耗,电池供电仪器仪表中是一个重要考虑因素。PIC16C××系列单片机本身功耗较低(5V,4MHz振荡频率时工作电流小于2mA)。为进一步降低功耗,保证满足工作要求前提下,可采用降低工作频率方法,工作频率下降可大大降低功耗(如PIC16C××3V,32kHz下工作,其电流可减小到15μA),但较低工作频率

合格PE管材应达到的要求

推荐简介:(1)使用寿命:在特定的环境温度、压力的情况下(由施工标准觉定),PE管材可以具有产品标准的使用寿命(一般为50年)。(2)耐腐性能:厂家生产的PE管材能够耐大多数化学物品(酸碱盐)以及承受PH值范围在1-14的高浓度酸和碱的腐蚀的腐蚀,可以在浓度小于80%的浓盐酸中应用,在浓度小于75%的硫酸、浓度小于20%的硝酸中性能相当稳定。(3)抗磨性能:PE管材应具有一定的耐磨要求,即抗滑动摩擦能力......
水电之家讯:本文总结了作者PIC单片机开发过程中一些经验、技巧,供同行参考。 1 怎样进一步降低功耗

功耗,电池供电仪器仪表中是一个重要考虑因素。PIC16C××系列单片机本身功耗较低(5V,4MHz振荡频率时工作电流小于2mA)。为进一步降低功耗,保证满足工作要求前提下,可采用降低工作频率方法,工作频率下降可大大降低功耗(如PIC16C××3V,32kHz下工作,其电流可减小到15μA),但较低工作频率可能导致部分子程序(如数学计算)需占用较多时间。这种情况下,当单片机振荡方式采用RC电路形式时,可以采用中途提高工作频率办法来解决。

具体做法是闲置一个I/O脚(如RB1)和OSC1管脚之间跨接一电阻(R1),如图1所示。低速状态置RB1=0。需进行快速运算时先置RB1=1,充电时,电容电压上升快,工作频率增高,运算时间减少,运算结束又置RB1=0,进入低速、低功耗状态。工作频率变化量依R1阻值而定(注意R1不能选太小,振荡电路不起振,一般选取大于5kΩ)。

另外,进一步降低功耗可充分利用“sleep”指令。执行“sleep”指令,机器处于睡眠状态,功耗为几个微安。程序可待命状态使用“sleep”指令来等待事件,也可延时程序里使用(见例1、例2)。延时程序中使用“sleep”指令降低功耗是一个方面,同时,是关中断状态,Port B端口电平变化可唤醒“sleep”,提前结束延时程序。这一点一些应用场合特别有用。同时注意使用“sleep”时要处理好与WDT、中断关系。

例1(用Mplab-C编写) 例2(用Masm编写)

Delay() Delay

{ ;此行可加开关中断指令

movlw.10

for (i=0; i<=10; i++) movwf Counter

SLEEP(); Loop1

} Sleep

decfsz Counter

goto Loop1

return



2 注意INTCON中RBIF位



INTCON中各中断允许位对中断状态位并无影响。当PORT B配置成输入方式时,RB<7:4>引脚输入每个读操作周期被抽样并与旧锁存值比较,一旦不同就产生一个高电平,置RBIF=1。开RB中断前,也许RBIF已置“1”,开RB中断时应先清RBIF位,以免受RBIF原值影响,同时中断处理完成后最好是清RBIF位。



3 用Mplab-C高级语言写PIC单片机程序时要注意问题



3.1 程序中嵌入汇编指令时注意书写格式 见例3。



例3



…… ……

while(1) {#asm while(1) {

…… #asm

#endasm ……

} #endasm

…… }

……



当内嵌汇编指令时,从“#asm”到“endasm”每条指令都必须各占一行,否则编译时会出错。



3.2 加法、乘法最安全表示方法 见例4。



例4



#include<16c71.h>

#include

unsigned int a, b;

unsigned long c;

void main()

{ a=200;

b=2;

c=a*b;

}



原因是Mplab-C以8×8乘法方式来编译c=a*b,返回单字节结果给c,结果溢出被忽略。改上例中“c=a*b;”表达式为“c=a;c=c*b;”,最为安全(对加法处理同上)。



3.3 了解乘除法函数对寄存器占用



PIC片内RAM仅几十个字节,空间特别宝贵,而Mplab-C编译器对RAM址具有不释放性,即一个变量使用址不能再分配给其它变量。如RAM空间不能满足太多变量要求,一些变量只能由用户强制分配相同RAM空间交替使用。而Mplab-C中乘除法函数需借用RAM空间来存放中间结果,乘除法函数占用RAM与用户变量址重叠时,就会导致出现不可预测结果。C程序中用到乘除法运算,最好先程序机器码反汇编代码(包含生成LST文件中)查看乘除法占用址是否它变量址有冲突,以免程序跑飞。Mplab-C手册并没有给出其乘除法函数对具体RAM址占用情况。例5是乘法函数对0×13、0×14、0×19、0×1A址占用情况。



例5



部分反汇编代码

#include 01A7 081F MOVF 1F,W

#include 01A8 0093 MOVWF 13

;借用

unsigned long Value @0x1 01A9 0820 MOVF 20,W

char Xm @0x2d; 01AA 0094 MOVWF 14

;借用

void main() 01AB 082D MOVF 2D,W

{Value=20; 01AC 0099 MOVWF 19

;借用

Xm=40; 01AD 019A CLRF1A

;借用

Value=Value*Xm 01AE 235F CALL 035Fh

;调用乘法函数

…… 01AF 1283 BCF 03,5

} 01B0 009F MOVWF 1F

;返回结果低字节

01B1 0804 MOVF 04,W

01B2 00A0 MOVWF 20

;返回结果高字节



4 对芯片重复编程



对无硬件仿真器用户,总是选用带EPROM芯片来调试程序。每更改一次程序,都是将原来内容先擦除,再编程,其过程浪费了相当多时间,又缩短了芯片使用寿命。后一次编程结果较前一次,仅是对应机器码字节相同位由“1”变成“0”,就可前一次编程芯片上再次写入数据,而不必擦除原片内容。

程序调试过程中,经常遇到常数调整,如常数改变能保证对应位由“1”变“0”,都可原片内容基础继续编程。另外,指令“NOP”对应机器码为“00”,调试过程中指令删除,先用“NOP”指令替代,编译后也可原片内容上继续编程。

另外,对带EPROM芯片编程时,特别注意程序保密状态位。厂家对新一代带EPROM芯片保密状态位已由原来EPROM可擦型改熔丝型,一旦程序代码保密熔丝编程为“0”,可重复编程 EPROM 芯片就无法再次编程了。使用时应注意这点,以免造成不必要浪费(Microchip 资料并未对此做出说明)。

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